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Infrarotstrahlung reflektierendes Schichtsystem auf einem transparenten, dielektrischen Substrat (S) mit folgenden transparenten Schichtanordnungen, vom Substrat (S) aufwärts betrachtet: – einer Grundschichtanordnung (GA) mit mindestens einer dielektrischen Grundschicht (GAG) aus einem Nitrid, Oxid oder Oxinitrid eines Metalls, eines Halbleiters oder einer Halbleiterlegierung, – einer Funktionsschichtanordnung (FA) mit einer zinkoxidhaltigen Keimschicht (FAK) und einer darüber angeordneten silberbasierten Funktionsschicht (FAF), – wobei die Funktionsschicht (FAF) aus mehreren Teilschichten (FAFT1, FAFT2, ...) mit unterschiedlicher mittlerer Oxidationszahl des Silbers oder als Gradientenschicht mit gradierender mittlerer Oxidationszahl des Silbers aufgebaut ist, wobei ausgehend von einer nicht-oxidierten Silberschicht die mittlere Oxidationszahl in Richtung Substrat zunimmt, – einer Deckschichtanordnung (DA) mit mindestens einer dielektrischen Deckschicht (DAD) aus einem Nitrid, Oxid oder Oxinitrid eines Metalls, eines Halbleiters oder einer Halbleiterlegierung. |
