一种制造嵌入式闪存的方法

摘要

一种嵌入式闪存的制造方法，用于制造具有三个不同厚度栅极氧化层的器件。本方法采用几次常规的干式蚀刻和/或湿式蚀刻分别移除衬底上指定区域的ONO(氧化硅-氮化硅-氧化硅)层，各步骤均不使用氢氟酸，也不增加光掩膜步骤。本发明的方法，可以避免氢氟酸使浅沟道隔离(STI)或其它晶体管参数受影响，同时成本低，方便实施。

主权项

1.一种制造嵌入式闪存的方法，该闪存具有三个不同厚度的栅极氧化层，其特征在于包含如下步骤：a)提供一半导体衬底，该衬底上分布第一区域、第二区域、第三区域，分别需要三个不同操作电压，其中第三区域为最高；b)去掉第三区域上的ONO；c)进行第一次栅极氧化层生长，在第三区域上长一层最厚的栅极氧化层；d)去掉第二区域上的ONO；e)进行第二次栅极氧化层生长，在第二区域上形成栅极氧化层；f)去掉第一区域上的ONO；g)进行第三次栅极氧化层生长，在第一区域上形成栅极氧化层；h)进行栅极多晶硅沉积。