沟槽型MOSFET及其制造方法

摘要

本发明提供一种沟槽型MOSFET，在P型半导体的基板(1)、P型半导体的外延层(2)、N型半导体的体区(3)和P型半导体的源极扩散部(7)依次邻接而形成的半导体基板上设置有沟槽部(16)，在沟槽部(16)的底面及侧面设置有由P型半导体的SiGe层构成的沟道层(4)，所以，沟道层(4)中的载流子的迁移变得容易，从而能够降低沟槽型MOSFET的导通电阻。因此，能够在不降低击穿电压的情况下降低导通电阻。

主权项

1.一种沟槽型MOSFET，在第一导电型的高掺杂漏极区、第一导电型的低掺杂漏极区、第二导电型的沟道体区和第一导电型的源极区依次邻接而形成的半导体基板上形成有沟槽部，在该沟槽部的底面及侧壁具有第一导电型的沟道层，并且在该沟槽部内设置有栅电极，上述沟道层为SiGe层，其中，当被提供给上述栅电极的电压相对于上述源极区的极性为第一极性时，上述SiGe层完全耗尽，当极性与第一极性相反时，上述SiGe层非耗尽。