发明名称 APPARATUS OF TREATING BARED WAFER
摘要 본 발명은 화학 기계적 연마 방법 및 장치에 관한 것으로, 베어 웨이퍼를 연마 헤드의 저면에 위치시킨 상태로, 상기 베어 웨이퍼의 연마면을 연마 패드에 접촉 가압한 상태로 회전시키면서 상기 연마 패드와 상기 베어 웨이퍼 중 어느 하나 이상에 슬러리를 공급하면서 상기 연마면의 화학 기계적 연마를 행하는 제1연마단계과; 상기 제1연마단계 중에 상기 베어 웨이퍼의 두께 분포를 측정하는 두께분포 측정단계와; 상기 제1연마단계 중에 상기 두께분포 측정단계로부터 측정된 상기 베어 웨이퍼의 두께 편차를 완화하는 연마두께편차 조정단계와; 상기 제1연마단계에 의하여 상기 연마 두께가 미리 정해진 제1연마두께에 도달하면, 상기 두께분포 측정단계과 상기 연마두께편차 조정단계를 중단하고, 상기 연마 두께가 타겟 두께에 도달할 때까지 연마하는 제2연마단계를; 포함하여 구성되어, 최종적으로 화학 기계적 연마 공정이 종료된 베어 웨이퍼 두께 분포가 보다 정확하게 원하는 두께 분포로 형성할 수 있는 화학 기계적 연마 방법 및 장치를 제공한다.
申请公布号 KR101664110(B1) 申请公布日期 2016.10.24
申请号 KR20150105687 申请日期 2015.07.27
申请人 K.C.TECH CO., LTD. 发明人 KIM, JONG CHEON
分类号 H01L21/304;H01L21/66;H01L21/67 主分类号 H01L21/304
代理机构 代理人
主权项
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