Halbleiterstruktur und Verfahren zum Herstellen von dieser

摘要

Eine Halbleiterstruktur umfasst ein Substrat, eine erste Halbleiterfinne, eine zweite Halbleiterfinne und ein erstes schwach dotiertes Draingebiet (LDD-Gebiet). Die erste Halbleiterfinne ist auf dem Substrat angeordnet. Die erste Halbleiterfinne weist eine obere Fläche und Seitenwände auf. Die zweite Halbleiterfinne ist auf dem Substrat angeordnet. Die erste Halbleiterfinne und die zweite Halbleiterfinne sind durch einen nanoskaligen Abstand voneinander getrennt. Das schwach dotierte Draingebiet (LDD-Gebiet) ist zumindest in der oberen Fläche und den Seitenwänden der ersten Halbleiterfinne angeordnet.