发明名称 被选存储单元非破坏性读出的方法及设备
摘要 一种确定在具有字线与位线的无源矩阵可寻址数据存储装置中的存储单元的逻辑状态的方法,用探测电压检测和相关电流响应的成份,并且将时间相关的电位施加在所选字线与位线或字线与位线组上,所述电位在幅度和定时上互相协调,以使得在非启动字线和启动位线之间的非寻址的全部或某些的两端电压仅包含与探测电压暂态相关的可忽略电压成分。执行该方法的设备利用启动字线上的全部存储单元的顺序读出。通过多路复用器选择启动字线,同时在读出期间把非启动字线箝位到地。执行该方法的另一设备仅有单一检测电路。本发明利用可极化存储器材料消除电容状结构的无源矩阵可寻址存储器阵列中的容性耦合,用于被选存储单元非破坏性读出。
申请公布号 CN100367403C 申请公布日期 2008.02.06
申请号 CN02805531.4 申请日期 2002.02.15
申请人 薄膜电子有限公司 发明人 P·-E·诺达尔;H·G·古德森;G·I·莱斯塔德
分类号 G11C7/12(2006.01);G11C8/08(2006.01);G11C11/22(2006.01) 主分类号 G11C7/12(2006.01)
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 陈景峻;梁永
主权项 1.一种用于确定在包含字线与位线的无源矩阵可寻址数据存储装置中设置的被选存储单元(1)的逻辑状态的方法,其中具体的逻辑状态根据预定协议被指定唯一的逻辑值;其中所述单元(1)在电容器状的结构中以电极化状态的形式存储数据,该电容器状的结构包括可极化材料,尤其是能够展现磁滞现象的铁电或驻极体材料;其中所述可极化材料在所述电容状结构两端没有外加电压的条件下能够保持不消失的电极化性;其中通过启动所关注存储单元(1)处交叉的字线或位线或二者,进行存储单元的选择;其中通过在其间外加电位差实现字线或位线的启动,因而使所选单元(1)承受由所加电位差产生的小信号探测电压,从而从所述单元产生电流响应;其中所述小信号探测电压以任意可选择方式与时间相关,并且具有的电压幅度和/或持续时间小于为了引起所述单元的极化状态中显著的永久改变所需的电压幅度和/或持续时间;其中通过检测来自所述所选单元(1)的所述电流响应中的分量,确定所述逻辑状态;其中该电流响应的分量与所述小信号探测电压或从该小信号探测电压获得的基准信号暂态相关;并且其中根据所述电流响应与一组预定的判据的比较来执行关于所选单元的逻辑状态的判定;以及其中在选择的字线与位线或字线与位线组上采用时间相关的电位,所述时间相关的电位以幅度和时间互相协调,以便在若干非启动字线和一个启动位线或若干启动位线之间的交叉点和/或在若干非启动位线和至少一个启动字线之间的交叉点处的全部或某些非选择单元的两端产生的电压被造成仅包含与所述小信号探测电压或从该小信号探测电压获得的基准信号暂态相关的可忽略的电压分量。
地址 挪威奥斯陆