| 发明名称 | 设有双单元的半导体存储装置 | ||
| 摘要 | 在由两个DRAM单元构成的双单元(101#)中，将各双单元(101#)的单元极板(130#)在电气上分离。由此，存储同一双单元内的互补数据的两个存储节点(140)的电压，因电容耦合而同样地变动。 | ||
| 申请公布号 | CN100367408C | 申请公布日期 | 2008.02.06 |
| 申请号 | CN03158902.2 | 申请日期 | 2003.09.08 |
| 申请人 | 株式会社瑞萨科技 | 发明人 | 月川靖彦;伊藤孝 |
| 分类号 | G11C11/401(2006.01);G11C11/407(2006.01) | 主分类号 | G11C11/401(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 杨凯;叶恺东 |
| 主权项 | 1.一种半导体存储装置，其中：设有行列状配置的多个存储单元；所述多个存储单元被分割成由写入互补数据的每两个所述存储单元构成的多个存储单位；还设有，与所述多个存储单元的列对应配置的、每两条一对的多条位线，与所述多个存储单元的行对应的、在与所述多条位线交叉的方向上配置的多条字线，以及各自与各所述存储单位对应设置的、至少电气上相互分离的多个单元极板；所述多个存储单元各自包含，在对应的所述位线和存储节点之间连接的、根据对应的所述字线的电压导通或截止的选择晶体管，以及在所述存储节点和对应的所述单元极板之间连接的电容器。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||