发明名称 |
中高压集成电路中的降压电路 |
摘要 |
一种中高压集成电路中的降压电路,为集成电路中的低压控制部分的提供电源,该降压电路包括MOS管N1、电容C1,其特征是,MOS管N1的漏极接外部供电的高压电源的输入端VCC,MOS管N1的源极通过电容C1接地,MOS管N1的源极为低压电源的输出端VDD向内部控制电路部分供电,MOS管N1的衬底接地,MOS管N1的栅极与一控制电压信号相连接,所述的MOS管为高压型N沟道耗尽管或零伏本征管,所述的控制电压信号的电压值≥0V。该降压电路结构简单、可靠,静态电流消耗小,具有良好的降压和稳压的性能。 |
申请公布号 |
CN205490105U |
申请公布日期 |
2016.08.17 |
申请号 |
CN201620236268.X |
申请日期 |
2016.03.26 |
申请人 |
泰州亚芯微电子科技有限公司 |
发明人 |
唐伟;李曙生;周国付 |
分类号 |
H02M1/08(2006.01)I |
主分类号 |
H02M1/08(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种中高压集成电路中的降压电路,其包括MOS管N1、电容C1,其特征是,MOS管N1的漏极接外部供电的高压电源的输入端VCC,MOS管N1的源极通过电容C1接地,MOS管N1的源极为低压电源的输出端VDD向内部控制电路部分供电,MOS管N1的衬底接地,MOS管N1的栅极与一控制电压信号相连接,所述的MOS管为高压型N沟道耗尽管或零伏本征管,所述的控制电压信号的电压值≥0V。 |
地址 |
225300 江苏省泰州市海陵区凤凰西路168号1幢306室 |