发明名称 |
用于神经缺损修复的可降解镁合金神经导管及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种用于神经缺损修复的可降解镁合金神经导管及其制备方法;所述神经导管为圆管型,所述神经导管的管壁上设置有多列通孔,每列通孔沿圆管轴向等间距排布,相邻列的通孔错位排列。本发明还涉及前述的神经导管的制备方法,包括如下步骤:步骤1,将镁合金管坯一端加工出45°的锥面,进行挤压,得镁合金中间管材;步骤2,将镁合金中间管材经多道次轧制、拉拔后,得毛细管;步骤3,将毛细管进行去应力退火,保温,激光切割,打孔,得多孔导管;步骤4,将多孔导管在超声清洗机中酸洗,电化学抛光处理,即可。本发明制备方法工艺简单,制备出的用于神经缺损修复的多孔可降解镁合金神经导管壁厚均匀、表面光滑。 |
申请公布号 |
CN104055599B |
申请公布日期 |
2016.08.24 |
申请号 |
CN201410258445.X |
申请日期 |
2014.06.11 |
申请人 |
上海交通大学 |
发明人 |
袁广银;丁文江 |
分类号 |
A61F2/04(2013.01)I |
主分类号 |
A61F2/04(2013.01)I |
代理机构 |
上海汉声知识产权代理有限公司 31236 |
代理人 |
牛山;陈少凌 |
主权项 |
一种用于神经缺损修复的可降解镁合金神经导管,其特征在于,所述神经导管为圆管型,所述神经导管的管壁上设置有多列通孔,每列通孔沿圆管轴向等间距排布,相邻列的通孔错位排列;所述通孔的孔径为0.03~0.3mm,所述神经导管的孔隙率为2~20%;所述镁合金为Mg‑Nd‑Zn‑Zr镁合金、Mg‑Zn‑Zr镁合金或Mg‑Zn‑Mn镁合金。 |
地址 |
200240 上海市闵行区东川路800号 |