| 发明名称 | 阵列基底、制造该阵列基底的方法和使硅结晶的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种阵列基底，所述阵列基底包括基底、开关元件和像素电极。开关元件在基底上。开关元件包括多晶硅图案，多晶硅图案具有至少一个块。在多个方向上延伸的晶粒形成在所述至少一个块的各个中。像素电极电连接到开关元件。因此，提高了开关元件的电流流动性和设计余量。 | ||
| 申请公布号 | CN1905198A | 申请公布日期 | 2007.01.31 |
| 申请号 | CN200610058138.2 | 申请日期 | 2006.03.06 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 朱胜镛;姜明求 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01);H01L21/84(2006.01);G02F1/136(2006.01) | 主分类号 | H01L27/12(2006.01) |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郭鸿禧;安宇宏 |
| 主权项 | 1、一种阵列基底，包括：基底；开关元件，在所述基底上，所述开关元件包括多晶硅图案，所述多晶硅图案具有至少一个块，形成在各块中的晶粒在多个方向上延伸；像素电极，电连接到所述开关元件。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||