| 摘要 |
Ein Hochfrequenzleistungsverstärker enthält: einen mehrfingrigen Transistor (5), der eine Mehrzahl von Transistorzellen (1) enthält, die elektrisch parallel geschaltet sind; eine eingangsseitige Anpassschaltung (2), die mit den Gateelektroden der Mehrzahl von Transistorzellen (1) verbunden ist; und Resonanzschaltungen (4), von denen jede zwischen einer Gateelektrode einer jeweiligen Transistorzelle (1) und der eingangsseitigen Anpassschaltung (2) angeschlossen ist. Die Resonanzschaltungen (4) weisen eine Resonanzfrequenz bei einer zweiten harmonischen Frequenz der Betriebsfrequenz des Transistors (5) oder bei einer Frequenz innerhalb eines vorbestimmten Bereichs auf, der um die zweite harmonische Frequenz herum angeordnet ist, so dass sie, von der Seite der Gateelektrode aus gesehen, als Kurzschluss wirken oder eine hinreichend niedrige Impedanz aufweisen. |
