| 摘要 |
Eine Halbleitervorrichtung und deren Herstellungsverfahren werden geschaffen. In der Halbleitervorrichtung wird ein Halbleitersubstrat (1) aus Siliziumcarbid im zentralen Bereich auf seiner einen Hauptoberflächenseite mit einer epitaktischen Schicht aus Siliziumcarbid oder Galliumnitrid als einer Halbleiterschicht (2) versehen, die eine Dicke hat, die mindestens zur Verhinderung des Spannungsdurchbruchs notwendig ist. Weiterhin hat das Halbleitersubstrat (1) auf seiner anderen Hauptoberflächenseite eine Vertiefung (101) an einer Position, die dem zentralen Bereich zugewandt ist, und einen unterstützenden Teil (103), der den Boden (102) der Vertiefung (101) umgibt und die Seitenfläche der Vertiefung (101) bildet. Die Vertiefung (101) wird durch Bearbeitung, wie z. B. Trockensätzen gebildet. Die Halbleitervorrichtung kann, obwohl das Halbleitersubstrat (1) zur Erzielung eines niedrigen Durchlasswiderstands dünner gemacht wurde, die Festigkeit des Halbleitersubstrats aufrechterhalten, so dass man die Häufigkeit des Brechens eines Wafers in einem Waferbearbeitungsprozess reduzieren kann.
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