| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft modifizierte Bismutsulfide, die eine Zusammensetzung gemäß der folgenden allgemeinen Formel (1) Bi<SUB>x</SUB>E<SUB>y</SUB>S<SUB>z</SUB>Mg<SUB>u</SUB> (1 ) aufweisen, wobei E Germanium und/oder Silizium bedeutet und die Indizes x, y, z und u einem der folgenden Werte entsprechen: x = 1 ,9 bis 2,1 , y = 0,001 bis 0,08, z = 2,95 bis 3,05, u = 0 bis 2y, und ein Halbleitermaterial, enthaltend diese modifizierten Bismutsulfide, sowie die Verwendung eines solchen Halbleitermaterials in thermoelektrischen Modulen und photovoltaischen Zellen oder Modulen.</p> |
