| 发明名称 | 相变存储器件和半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供相变存储器件和半导体器件的制造方法。制造相变存储器件的方法包括：在半导体衬底上形成开关器件层、欧姆接触层和硬掩模层；图案化所述硬掩模层以形成硬掩模图案；利用所述硬掩模图案来刻蚀所述欧姆接触层和所述开关器件层以形成包括欧姆接触图案、开关器件图案和所述硬掩模图案的图案结构；选择性地氧化所述图案结构的表面；形成绝缘层以掩埋所述图案结构；和将除其氧化表面以外的所述硬掩模图案选择性地去除以形成接触孔。 | ||
| 申请公布号 | CN103066204B | 申请公布日期 | 2016.12.21 |
| 申请号 | CN201210300911.7 | 申请日期 | 2012.08.22 |
| 申请人 | 爱思开海力士有限公司 | 发明人 | 徐惠眞;李锦范 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 石卓琼;郭放 |
| 主权项 | 一种制造相变存储器件的方法，包括以下步骤：在半导体衬底上形成开关器件层、欧姆接触层和硬掩模层；图案化所述硬掩模层以形成硬掩模图案；利用所述硬掩模图案来刻蚀所述欧姆接触层和所述开关器件层以形成包括欧姆接触图案、开关器件图案和所述硬掩模图案的图案结构；选择性地氧化所述图案结构的外表面；形成绝缘层以掩埋所述图案结构；平坦化所述绝缘层以暴露出残余的硬掩模层的表面；将除其氧化的外表面以外的残余的所述硬掩模图案选择性地去除以形成接触孔；在所述接触孔内形成加热电极；以及形成相变材料层以与所述加热电极接触。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||