| 发明名称 | 在块体鳍式场效应晶体管沟道中产生拉伸应变 | ||
| 摘要 | 本发明涉及在块体鳍式场效应晶体管沟道中产生拉伸应变，本发明的实施例提供一种形成鳍片型晶体管的方法。该方法包括形成finFET结构，该finFET结构具有位于栅极结构下面的鳍片沟道区、以及与该栅极结构的两个相对侧的该鳍片沟道区直接相邻的源极区及漏极区；以及使该源极区及该漏极区经受压缩应变，从而使该源极区及该漏极区对该鳍片沟道区施加拉伸应变。还提供由此形成的一种finFET晶体管，其包括鳍片形状的沟道区，由其顶部上的栅极覆盖；与该栅极的第一侧上的该沟道区的第一端相邻的源极；以及与该栅极的第二侧上的该沟道区的第二端相邻的漏极，其中，该源极及漏极由以硅覆盖层覆盖的具有至少50％原子百分比的Ge浓度水平的外延生长的硅‑锗(SiGe)制成。 | ||
| 申请公布号 | CN106257690A | 申请公布日期 | 2016.12.28 |
| 申请号 | CN201610458177.5 | 申请日期 | 2016.06.22 |
| 申请人 | 格罗方德半导体公司 | 发明人 | 王允愈;S·莫奇祖基 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟;王锦阳 |
| 主权项 | 一种方法，包括：形成finFET结构，该finFET结构具有位于栅极结构下面的鳍片沟道区、以及与该栅极结构的两个相对侧的该鳍片沟道区直接相邻的源极区及漏极区；以及使该源极区及该漏极区经受压缩应变，从而使该源极区及该漏极区对该鳍片沟道区施加拉伸应变。 | ||
| 地址 | 英属开曼群岛大开曼岛 | ||