| 发明名称 | 半导体设置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本申请公开了一种半导体设置及其制造方法。一示例设置可以包括：衬底；在衬底上形成的背栅；在背栅的相对侧壁上设置的至少一对纳米线；以及夹于背栅与各纳米线之间的背栅介质层。 | ||
| 申请公布号 | CN103985751B | 申请公布日期 | 2016.12.28 |
| 申请号 | CN201310050106.8 | 申请日期 | 2013.02.08 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 朱慧珑 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;B82Y10/00(2011.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 倪斌 |
| 主权项 | 一种半导体设置，包括：衬底；在衬底上形成的背栅；在背栅的相对侧壁上设置的至少一对纳米线，该至少一对纳米线中的每一对纳米线包括两条纳米线，该两条纳米线中的第一纳米线在背栅的第一侧上沿第一方向延伸，且该两条纳米线中的第二纳米线在背栅的与第一侧相反的第二侧上沿第一方向延伸；夹于背栅与各纳米线之间的背栅介质层；在衬底上形成的隔离层，所述隔离层露出该至少一对纳米线；和在隔离层上形成的栅堆叠，所述栅堆叠与该至少一对纳米线和背栅相交，其中所述栅堆叠与背栅之间通过电介质层隔离。 | ||
| 地址 | 100083 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||