| 主权项 |
一种PMOS晶体管的制造方法，其特征在于，所述制造方法至少包括以下步骤：1)提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上制备栅区域，并对所述栅区域下方邻接预制备源、漏区的区域进行B离子轻掺杂注入，形成轻掺杂源漏延伸区；2)在所述栅区域两侧沉积第一保护侧墙，在所述栅区域两侧的所述半导体衬底内刻蚀出第一沟槽，并在所述栅区域下保留部分轻掺杂源漏延伸区；3)在所述第一沟槽内外延生长应力填充层以填充满所述第一沟槽；4)在所述栅区域两侧的所述应力填充层内刻蚀出第二沟槽，其中，所述第二沟槽使栅区域部分悬空于所述应力填充层之上，同时在所述栅区域下的所述第二沟槽侧壁邻近被保留的部分轻掺杂源漏延伸区，所述第二沟槽未直接与被保留的部分轻掺杂源漏延伸区接触；5)外延生长调节层以填充满所述第二沟槽，而后进行退火，其中，所述调节层与应力填充层的掺杂类型相同，同时，所述调节层的掺杂浓度高于所述应力填充层的掺杂浓度；其中，所述调节层中含B元素，对所述调节层退火后，所述调节层中的B掺杂杂质会扩散至被保留的部分轻掺杂源漏延伸区中，以补充形成所述第一保护侧墙时该被保留的部分轻掺杂源漏延伸区中流失的B掺杂杂质；6)以所述栅区域为掩膜，对位于栅区域两侧且形成有所述调节层和应力填充层的半导体衬底进行离子注入形成源区及漏区；其中，外延生长所述应力填充层及调节层时通入的掺杂源为含Ge元素的第一掺杂源和含B元素的第二掺杂源；在步骤3)中，所述应力填充层在外延生长时由外层至内层的掺杂浓度逐层增加。 |
