鳍式场效应晶体管的制作方法

摘要

本发明公开了一种鳍式场效应晶体管的制作方法，该方法首先在绝缘体上硅衬底上形成硬掩模层图形，在硬掩模层图形的两侧形成侧墙；然后以侧墙及硬掩模层图形为掩模对顶层硅进行刻蚀以形成倒T型鳍的初始结构；去除硬掩模层图形两侧的侧墙之后，以硬掩模层图形为掩模对未被硬掩模层图形覆盖住的倒T型鳍的初始结构进行刻蚀，以形成倒T型鳍，倒T型鳍由倒T型鳍上部及倒T型鳍下部构成，倒T型鳍上部位于倒T型鳍下部的正位置，从而提高了鳍式场效应晶体管的性能。与现有鳍式场效应晶体管的制作方法相比，本发明所提供的方法更为简单、易实现。

主权项

一种鳍式场效应晶体管的制作方法，其特征在于，包括：提供绝缘体上硅衬底，其包括硅基板、位于所述硅基板上方的埋入氧化层及位于所述埋入氧化层上方的顶层硅；在所述绝缘体上硅衬底上形成硬掩模层图形；在所述硬掩模层图形的两侧形成侧墙，两侧的所述侧墙关于所述硬掩模层图形对称设置且宽度相等；以所述侧墙及硬掩模层图形为掩模对所述顶层硅进行刻蚀直至露出所述埋入氧化层，以形成倒T型鳍的初始结构；去除所述硬掩模层图形两侧的侧墙之后，以所述硬掩模层图形为掩模对未被所述硬掩模层图形覆盖住的倒T型鳍的初始结构进行刻蚀，以形成倒T型鳍，未被所述硬掩模层图形覆盖住的倒T型鳍的初始结构的被刻蚀深度等于倒T型鳍上部的高度，所述倒T型鳍上部的高度小于所述倒T型鳍的初始结构的高度；形成所述倒T型鳍之后，形成鳍式场效应晶体管的栅极、源极及漏极。