发明名称 |
电容式压力传感器及其形成方法 |
摘要 |
一种电容式压力传感器及其形成方法,所述电容式压力传感器包括:基底,所述基底中具有凹槽和位于凹槽底部的刻蚀孔,凹槽和刻蚀孔相互贯穿;位于凹槽侧壁上的环形的第一电极,所述第一电极包括分立的第一子电极和第二子电极;位于刻蚀孔的侧壁以及凹槽内的环形中空的第二电极,凹槽内的部分第二电极与第一电极之间具有第一空腔,第二电极的中空区域为第二空腔;封闭第二空腔顶端开口的第一密封层;封闭第二空腔底端开口的第二密封层。本发明的电容式压力传感器的占据的基底面积小,灵敏度提高。 |
申请公布号 |
CN104422548B |
申请公布日期 |
2016.12.28 |
申请号 |
CN201310381786.1 |
申请日期 |
2013.08.28 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
何其暘;张城龙 |
分类号 |
G01L1/14(2006.01)I;G01L9/12(2006.01)I |
主分类号 |
G01L1/14(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
骆苏华 |
主权项 |
一种电容式压力传感器的形成方法,其特征在于,包括:提供基底,在所述基底中形成凹槽;在凹槽的侧壁上形成环形的第一电极,所述第一电极包括分立的第一子电极和第二子电极;在第一电极的侧壁上形成第一牺牲层;刻蚀凹槽底部的基底,在凹槽底部的基底中形成刻蚀孔;在所述刻蚀孔的侧壁和底部、凹槽的部分底部以及第一牺牲层的侧壁上形成环形的第二电极;在第二电极上形成第二牺牲层,所述第二牺牲层填充凹槽和刻蚀孔;在所述第二牺牲层表面形成第一密封层;去除第一牺牲层,在第一电极和第二电极之间形成第一空腔;平坦化或刻蚀基底的背面,直至暴露出刻蚀孔底部的第二电极,并去除刻蚀孔底部的第二电极,暴露出刻蚀孔底部的第二牺牲层;去除所述凹槽和刻蚀孔内的第二牺牲层,形成第二空腔;形成密封所述第二空腔的下端开口的第二密封层。 |
地址 |
100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号 |