用于半导体基片反应室内部的部件及制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体基片反应室内部的部件及其制造方法，在铝或铝合金部件主体表面进行微弧氧化技术替代传统的阳极氧化技术，形成的微弧氧化涂层既可以直接作为铝或铝合金部件主体表面的防护层，与等离子体接触；也可以作为夹层，在其外表面再涂覆氧化钇涂层。所述微弧氧化涂层为刚玉结构，涂层致密度为98%，厚度在50um到300um之间连续可控，粗糙度Ra最小可达0.4um。良好的结构和组织稳定性，使得微弧氧化涂层成为替代阳极氧化层的理想方案。

主权项

一种用于半导体基片反应室内部的部件，其特征在于，包括：用于半导体基片反应室内部的部件主体；以及形成于所述部件主体表面的微弧氧化涂层，所述微弧氧化涂层的厚度为200um‑300um，致密度为98％，所述部件还包括形成于所述微弧氧化涂层表面的氧化钇涂层；所述微弧氧化涂层表面的粗糙度为0.4um<Ra<12um。