发光二极管及其制造方法

摘要

本发明的示例性实施例提供了发光二极管（LED）芯片和一种制造该发光二极管芯片的方法。根据示例性实施例的LED芯片包括：基底；发光结构，布置在基底上；以及布置在基底下方的交替层压底部结构。交替层压底部结构包括多个电介质对，每个电介质对包括具有第一折射率的第一材料层和具有第二折射率的第二材料层，第一折射率比第二折射率大。

主权项

一种发光二极管芯片，所述发光二极管芯片包括：基底；发光结构，布置在基底上，发光结构包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及设置在第一导电型半导体层与第二导电型半导体层之间的有源层；以及交替层压底部结构，基底布置在交替层压底部结构上，交替层压底部结构包括多个电介质对，每个电介质对包括包含第一折射率的第一材料层和包含第二折射率的第二材料层，第一折射率比第二折射率大，所述多个电介质对包括：多个第一电介质对，每个第一电介质对包括第一材料层和第二材料层，第一材料层和第二材料层的光学厚度均小于λ/4；至少两个第二电介质对，每个第二电介质对包括第一材料层和第二材料层，第一材料层和第二材料层中的一个材料层的光学厚度小于λ/4，另一个材料层的光学厚度大于λ/4；以及多个第三电介质对，每个第三电介质对包括第一材料层和第二材料层，第一材料层和第二材料层的光学厚度均大于λ/4，其中，λ是可见光范围的中心波长。