高密度应用的互补式电阻开关随机存取存储器的结构和方法

摘要

本发明提供了一种电阻式随机存取存储器(RRAM)结构。该RRAM结构包括位于衬底上的底部电极、位于底部电极上的包括缺陷工程膜的电阻材料层以及位于电阻材料层上的顶部电极。本发明还提供了一种高密度应用的互补式电阻开关随机存取存储器的结构和方法。

主权项

一种电阻式随机存取存储器结构，包括：底部电极，位于衬底上；电阻材料层，位于所述底部电极上，所述电阻材料层包括缺陷工程膜；以及顶部电极，位于所述电阻材料层上；覆盖层，设置在所述电阻材料层和所述顶部电极之间；其中，所述覆盖层和所述电阻材料层是选自于由钛和氧化锆、钽和氧化钽、以及铪和氧化铪所构成的组中的成对材料，所述缺陷工程膜在所述电阻材料层中产生氧缺陷。