ウエハの裏側及び表側からのウエハダイシング

摘要

ウエハ又は基板の裏側のレーザースクライブ及び表側のレーザースクライブ並びにプラズマエッチングダイシングのためのアプローチが、説明される。例えば、その表側の複数の集積回路及びその裏側のメタライゼーションを有する半導体ウエハのダイシング方法が、第１のレーザースクライビング処理によって裏側のメタライゼーションをパターニングし、裏側に第１の複数のレーザースクライブラインを提供することを含む。方法は、表側にマスクを形成することも含む。方法は、第２のレーザースクライビング処理によって、表側から、マスクをパターニングし、集積回路の間に半導体ウエハの領域を露出させる第２の複数のスクライブラインを、パターニングされたマスクに提供することも含み、第２の複数のスクライブラインは、第１の複数のスクライブラインと位置合わせされる。方法は、第２の複数のスクライブラインを通って半導体ウエハをプラズマエッチングし、集積回路を個片化することも含む。【選択図】図２Ｄ