背接触式太阳能电池的制作方法

摘要

一种背接触式太阳能电池的制作方法，包含在半导体基板的背光表面上制作n型掺杂区、p型掺杂区以及背抗反射层。借由含铅的导电胶穿过背抗反射层，与n型掺杂区与p型掺杂区连接，而作为n型电极与p型电极。

主权项

一种背接触式太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤(a)提供一半导体基板；步骤(b)粗糙化该半导体基板的一受光表面；步骤(c)形成一阻障层于该受光表面；步骤(d)对该半导体基板进行一硼离子扩散，以在该半导体基板的侧面与一背光表面形成一p型掺杂层；步骤(e)移除该阻障层；步骤(f)图案化该p型掺杂层，以在该背光表面形成交错排列的多个凹槽与多个p型掺杂区；步骤(g)形成一前表面场层于该受光表面上，以及形成多个n型掺杂区于该些凹槽中，其中，该些n型掺杂区与该些p型掺杂区互不相连；步骤(h)形成一前抗反射层于该前表面场层上，以及形成一背抗反射层于该背光表面上；步骤(i)印制多个导电胶于该背抗反射层，该些导电胶的位置分别对应于该些n型掺杂区以及该些p型掺杂区；以及步骤(j)烧结该些导电胶，以形成多个电极。