| 发明名称 | 光电子器件的制造 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种用于制造光电子器件的方法。该方法包括：提供载体；将光电子半导体芯片布置在所述载体上；以及在载体上形成用于转换辐射的转换层，其中光电子半导体芯片被转换层围绕。也公开了执行用于形成分离的光电子器件的分离工艺，其中至少转换层被切断。本发明进一步涉及一种光电子器件。 | ||
| 申请公布号 | CN106030832A | 申请公布日期 | 2016.10.12 |
| 申请号 | CN201580011506.5 | 申请日期 | 2015.03.03 |
| 申请人 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 发明人 | M.布兰德尔;T.格布尔;T.施瓦茨 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I;H01L33/48(2006.01)I;H01L33/50(2006.01)I;H01L33/62(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 胡莉莉;姜甜 |
| 主权项 | 一种用于制造光电子器件的方法，其包括如下方法步骤：提供载体（110，160）；将光电子半导体芯片（130，230）布置在载体（110，160）上；在载体（110，160）上形成用于辐射转换的转换层（140），其中光电子半导体芯片（130）被转换层（140）围绕；以及执行用于形成分离的光电子器件的划片工艺，其中至少转换层（140）被切断。 | ||
| 地址 | 德国雷根斯堡 | ||