| 发明名称 | 引线框架上的衬底中介层 | ||
| 摘要 | 本发明在一个一般方面涉及一种器件，所述器件可包括引线框架、中介层和重新分布层，所述引线框架包括外部输入端或外部输出端中的至少一者，所述中介层由绝缘材料制成，所述重新分布层耦合到所述中介层并且由导电材料制成。所述重新分布层可包括多条迹线。所述器件还可包括半导体晶粒，所述半导体晶粒设置在所述重新分布层和所述引线框架之间。 | ||
| 申请公布号 | CN106024643A | 申请公布日期 | 2016.10.12 |
| 申请号 | CN201610184429.X | 申请日期 | 2016.03.28 |
| 申请人 | 费查尔德半导体有限公司;快捷半导体（苏州）有限公司 | 发明人 | E·A·卡巴哈格;M·C·Y·奎诺尼斯;M·C·伊斯塔西欧;R·N·马纳塔德;吴宗麟;J·特耶塞耶雷 |
| 分类号 | H01L21/48(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/48(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人 | 郑建晖;李洁 |
| 主权项 | 一种器件，所述器件包括：引线框架，所述引线框架包括外部输入端或外部输出端中的至少一者；中介层，所述中介层由绝缘材料制成；重新分布层，所述重新分布层耦合到所述中介层并且由导电材料制成，所述重新分布层包括多条迹线；以及半导体晶粒，所述半导体晶粒设置在所述重新分布层和所述引线框架之间。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||