| 摘要 |
본 발명은 다음 단계들을 포함하는 선택적 도핑을 갖는 광 전지를 생성하는 방법에 관한 것이다: 제 1 전도성 유형으로 도핑된 반도체 기판을 제공하는 단계; 상기 기판에 제 1 도핑 영역을 형성하는 단계 - 상기 제 1 영역은 제 1 농도의 도핑 원소들을 가짐 -; 상기 기판에 도핑 원소들의 이온을 주입함으로써, 상기 제 1 영역에 인접하고 상기 제 1 농도보다 큰 제 2 도핑 원소 농도를 가진, 가장 큰 치수가 일 밀리미터 미만인 적어도 하나의 세트의 정렬 유닛들, 및 제 2 영역을 형성하는 단계; 상기 정렬 유닛들, 상기 제 1 영역 및 상기 제 2 영역에 걸쳐, 상기 기판의 표면에서 산화물 층을 형성하고 도핑 원소들을 활성화시키기 위해 상기 기판을 열 처리하는 단계 - 상기 제 2 농도 및 열 처리 조건들은 상기 산화물 층이 상기 정렬 유닛들에 인접한 기판 구역 위에 있는 산화물 층의 두께보다 적어도 10 nm 만큼 큰 두께를 상기 정렬 유닛들 위에서 가지도록 선택됨; 상기 산화물 층 상에 반사-방지 층을 증착시키는 단계; 및 상기 제 2 영역과 마주하여, 반사-방지 코팅 상에 전극을, 스크린 (40)을 통해 증착시키는 단계. 상기 스크린은 상기 정렬 유닛들에 의해 상기 기판에 대해 위치된다. |
