| 发明名称 |
金属ソースを含むメモリセルストリングを有する方法及び装置 |
| 摘要 |
メモリセルストリングを形成する方法、メモリセルストリングを有する装置、及びシステムが開示される。メモリセルストリングを形成する方法は、基板の上に金属シリサイドソース材を形成することを含む。金属シリサイドソース材はドープされる。金属シリサイドソース材の上に、垂直型メモリセルストリングが形成される。半導体材は、垂直型メモリセルストリングに垂直に隣接して形成され、金属シリサイドソース材に連結される。【選択図】図１０ |
| 申请公布号 |
JP2016535444(A) |
申请公布日期 |
2016.11.10 |
| 申请号 |
JP20160526281 |
申请日期 |
2014.10.31 |
| 申请人 |
マイクロン テクノロジー， インク． |
发明人 |
ルゥ，ジェンユ;リンジー，ロジャー ダブリュ．;ビックスラー，アンドリュー;フー，ヨンジュン ジェフ;リゥ，ハイタオ |
| 分类号 |
H01L21/8247;H01L21/336;H01L27/10;H01L27/115;H01L29/788;H01L29/792 |
主分类号 |
H01L21/8247 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
