发明名称 SYSTEM AND METHOD FOR SHIFTING CRITICAL DIMENSIONS OF PATTERNED FILMS
摘要 여기에서의 기술은, 기판 상에 마이크로 제조되는 구조체 및 다양한 피처의 임계 치수를 제어 및 조절하는(modulating) 메카니즘으로서 기판 상의 광 등의 전자기 방사선의 공간 제어된 프로젝션을 제공하는 시스템 및 방법을 포함한다. 이러한 공간 광 프로젝션을 포토리소그래피 노출과 결합하는 것은 기판의 표면에 걸쳐 임계 치수 균일성에서의 현저한 개선을 달성할 수 있다. 일반적으로, 여기서의 방법은 기판에 대응하는 임계 치수값을 공간 특징짓는(spatially characterize) 임계 치수 시그니처(critical dimension signature)를 식별 또는 수신하는 패터닝 프로세스를 포함한다. 전자기 방사선의 패턴은 디지털 픽셀 기반 프로젝션 시스템을 사용하여 기판 상에 코팅된 패터닝 필름 상에 프로젝팅된다. 종래의 포토리소그래피 노출 프로세스는 픽셀 기반 프로젝션에 후속하여 또는 픽셀 기반 프로젝션 전에 실행된다. 이어서, 노출 프로세스 양자(both)에 의해 형성된(shaped) 임계 치수를 갖는 릴리프 패턴(relief pattern)을 산출하기(yield) 위해 패터닝 필름이 현상될(developed) 수 있다.
申请公布号 KR20160111524(A) 申请公布日期 2016.09.26
申请号 KR20167023533 申请日期 2015.01.23
申请人 TOKYO ELECTRON LIMITED 发明人 DEVILLIERS ANTON J.;FULFORD DANIEL
分类号 G03F7/20 主分类号 G03F7/20
代理机构 代理人
主权项
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