发明名称 以耐离子轰击配置的电子发射结构
摘要 公开了一种X射线发射器装置的电子发射结构设计,其被配置成便于X射线频谱下的辐射,并且还涉及防止冷阴极因高电压施加下的离子轰击而损坏。通过该发射结构发射的电子束被聚焦,并且被朝着电子阳极靶的电场加速,该电子阳极靶能够操作以将电子束吸引至关联焦斑,其中,所生成的离子沿着与和该电子阳极靶的表面并行的电场垂直的迹线加速。更具体地说,本发明涉及借助于设置被发射器区包围或者设置在发射器区之间的非发射器区,来实现一种鲁棒的冷阴极,以避免高电压施加下的粒子轰击损坏。该系统还被配置成提供校准靶阳极或阶状靶阳极,以进一步减少离子轰击损坏。
申请公布号 CN105793952A 申请公布日期 2016.07.20
申请号 CN201480064904.9 申请日期 2014.11.26
申请人 纳欧克斯影像有限公司 发明人 监物秀宪;桝谷均;饭田耕一
分类号 H01J35/02(2006.01)I 主分类号 H01J35/02(2006.01)I
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人 吕俊刚
主权项 一种电子发射结构,该电子发射结构包括:场发射型电子源的阵列和多个控制触点,所述多个控制触点被配置用于控制所述电子源;聚焦电极,该聚焦电极被配置用于在所述阵列上方施加电压;以及屏蔽部,该屏蔽部设置在所述控制触点上方。
地址 英国直布罗陀