蚀刻方法

摘要

本发明提供一种蚀刻方法，其在保持通用型蚀刻优点的同时，能够避免由记忆效应造成的蚀刻特性的变动。其特征在于，进行第1蚀刻处理后，在腔室2的内壁面成为附着堆积物70的状态，以除去该堆积物70为目的进行清洗后，再进行第2蚀刻处理；清洗在晶片W上不施加偏压电源的零偏压条件下，用O₂气体与N₂气体的混合气体作为清洗气体，在腔室内的压力为50～200mTorr、O₂流量5～15ml/min、以及N₂流量100～400ml/min的条件下进行。

主权项

权利要求书1.一种蚀刻方法，是对被处理基板上的作为蚀刻对象的自上至下以第1膜、第2膜的顺序由多层形成的层叠膜，在同一处理容器中，无需搬出所述被处理基板而依次进行蚀刻处理的蚀刻方法，其特征在于，包括：由第1蚀刻气体的等离子体蚀刻所述第1膜的第1蚀刻处理；由第2蚀刻气体的等离子体蚀刻所述第2膜的第2蚀刻处理；在所述第1蚀刻处理与所述第2蚀刻处理之间，由清洗气体的等离子体除去处理容器中堆积物的清洗处理，所述清洗气体是O2含有气体，所述O2含有气体是O2气体与N2气体的混合气体，所述清洗处理在处理容器内压力为50～200mTorr、N2和O2的合计气体流量为200～400mL/min、O2的比率为5～15％条件下进行。