| 发明名称 | 掺杂离子形成具有薄膜的基板结构制造方法及其基板结构 | ||
| 摘要 | 本发明是有关于一种掺杂离子形成具有薄膜的基板结构制造方法及其基板结构。其中该基板结构制造方法包括以下步骤：提供一目标基板，提供一原始基板，形成一脆化层于该原始基板上，形成一元件层于该脆化层上，掺杂氢离子，键合该元件层及该目标基板，以及分离该元件层及该原始基板；该基板结构包括：一目标基板，以及一元件层。本发明是藉由掺杂氢离子，以使得氢离子添入脆化层中，并可利用输入能量处理，而脆化碎裂脆化层以分离元件层与原始基板。由于氢离子是以掺杂的方式添入脆化层中，因此元件层的晶格结构在掺杂氢离子的过程中不会受到破坏而损伤。 | ||
| 申请公布号 | CN101656196A | 申请公布日期 | 2010.02.24 |
| 申请号 | CN200810212093.9 | 申请日期 | 2008.09.12 |
| 申请人 | 中国砂轮企业股份有限公司 | 发明人 | 李天锡;赖朝松;黄敬涵;何嘉哲;巫秉融;郑守钧 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/18(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;H01L23/00(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L27/01(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 寿 宁;张华辉 |
| 主权项 | 1、一种掺杂离子形成具有薄膜的基板结构制造方法，其特征在于其包括以下步骤：提供一目标基板；提供一原始基板，其含有具有吸附氢离子功效的一掺杂元素；形成一脆化层于该原始基板上；形成一元件层于该脆化层上；掺杂氢离子，将其添入该脆化层；键合该元件层及该目标基板；以及分离该元件层及该原始基板，其是藉由输入一能量处理进行分离。 | ||
| 地址 | 中国台湾台北市 | ||