| 发明名称 | 膜沉积第Ⅲ族氮化物如氮化镓的方法 | ||
| 摘要 | [问题]通过使用常压等离子体形成第III族氮化物如GaN的薄膜。[解决问题的手段]将反应室(12)充满在约40kPa的接近常压下的纯氮。将c-面蓝宝石衬底(90)置于电极(14)上。通过加热器(15)使衬底温度达到650℃。在电极(13，14)之间施加电场以形成放电空间(11a)。在气体进料系统(20)中，将少量三甲基镓加到N<sub>2</sub>中，将生成物进料到放电空间(11a)中并且使其与蓝宝石衬底(90)接触。使衬底(90)上的V/III比率处于10-100,000的范围内。 | ||
| 申请公布号 | CN100589229C | 申请公布日期 | 2010.02.10 |
| 申请号 | CN200680027937.1 | 申请日期 | 2006.08.03 |
| 申请人 | 积水化学工业株式会社 | 发明人 | 长田贵弘;知京丰裕;上原刚 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01)I;C23C16/34(2006.01)I;C23C16/509(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/205(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 陈 平 |
| 主权项 | 1、一种在衬底上生长第III族氮化物的方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：通过压力在40kPa至100kPa的范围内的氮气氛下，在一对电极之间施加电场，形成放电空间；使氮和含有第III族金属的金属化合物都进料到所述放电空间内，所述第III族金属选自Ga、Al和In；使所述氮和所述金属化合物接触所述衬底，以使第V族材料即所述氮的进料分压和第III族材料即所述金属化合物的进料分压之间的比率在10至100000的范围内；以及使所述衬底的温度处于下限温度至700摄氏度的范围内，所述下限温度以使其对应于所述金属化合物的热分解温度的方式设置。 | ||
| 地址 | 日本大阪 | ||