| 发明名称 | 包括针孔底切区域的器件和工艺 | ||
| 摘要 | 一种电子器件制造方法，包括：(a)提供电介质区域和下部导电区域，其中该电介质区域包括多个各自具有入口和出口的针孔；以及(b)将用于该下部导电区域的蚀刻剂沉积到针孔中，该蚀刻剂将针孔底切，以为多个针孔制造围绕出口的电介质区域悬伸表面，该悬伸表面朝向下部导电区域的底切区，该底切区比出口宽。 | ||
| 申请公布号 | CN101656294A | 申请公布日期 | 2010.02.24 |
| 申请号 | CN200910166517.7 | 申请日期 | 2009.08.17 |
| 申请人 | 施乐公司 | 发明人 | Y·吴;P·刘;Y·李;H·潘 |
| 分类号 | H01L51/00(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I;H01L51/10(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京北翔知识产权代理有限公司 | 代理人 | 杨 勇;郑建晖 |
| 主权项 | 1.一种电子器件制造方法，包括：(a)提供电介质区域和下部导电区域，其中该电介质区域包括多个各自具有入口和出口的针孔；以及(b)将用于该下部导电区域的蚀刻剂沉积到针孔中，将针孔底切，以为多个针孔制造围绕出口的电介质区域悬伸表面，该悬伸表面朝向下部导电区域的底切区，该底切区比出口宽。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||