Method of polishing a substrate comprising polysilicon and at least one of silicon oxide and silicon nitride

摘要

본 발명은 실리콘 옥사이드 및 실리콘 니트라이드 중 하나 이상과 폴리실리콘을 포함하는 기판을 제공하는 단계; 초기 성분으로서, 물; 마모제; 및 아릴 환에 결합된 알킬기를 가지는 소수성 부분 및 4 내지 100개의 탄소 원자를 갖는 비이온성 비환식 친수성 부분을 갖는 알킬 아릴 폴리에테르 설포네이트 화합물을 포함하는 화학 기계적 연마 조성물을 제공하는 단계; 연마 표면을 갖는 화학 기계적 연마 패드를 제공하는 단계; 기판에 대해 연마 표면을 이동시키는 단계; 화학 기계적 연마 조성물을 연마 표면에 분배하는 단계; 및 최소한 기판 일부를 마모하여 기판을 연마하는 단계를 포함하며, 이때, 기판에서 최소한 일부 폴리실리콘이 제거되며; 기판에서 실리콘 옥사이드 및 실리콘 니트라이드 중 하나 이상의 최소한 일부가 제거되는, 기판의 화학 기계적 연마 방법에 관한 것이다.