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개시되는 것은 규소 원소를 포함하는 웨이퍼 표면을 소수화함으로써 그 웨이퍼와 레지스트의 밀착성을 높이는 상기 웨이퍼의 표면 처리방법으로서, 아래에 나타내는 공정, 상기 웨이퍼 표면에 규소 원소 함유 웨이퍼용 표면 처리액을 접촉시켜서 그 웨이퍼 표면을 소수화하는 표면 처리 공정, 상기 웨이퍼 표면으로부터 상기 처리액을 제거하는 처리액 제거 공정, 상기 웨이퍼 표면에 레지스트를 성막하는 레지스트 성막 공정 을 포함하고, 표면 처리 공정에 있어서 하기 일반식 I-1로 표시되는 규소 화합물, 산 및 희석용매를 포함하는 규소 원소 함유 웨이퍼용 표면 처리액을 사용하는 것을 특징으로 하는 규소 원소 함유 웨이퍼의 표면 처리방법. [일반식 I-1][식 I-1 중 R은 각각 서로 독립적으로 수소기 또는 탄소수가 1~18인 탄화수소기이고, 그 탄화수소기의 수소원자는 할로겐원자로 치환되어 있어도 된다. X는 각각 서로 독립적으로 규소 원소와 결합하는 원소가 질소인 1가의 관능기이고, a는 1~3의 정수이다.] |
