| 主权项 |
1﹒半导体记忆装置包括,许多相互连结的记忆单元(12),各含两个接端(14,16)并通于储存位的消息,各该记忆单元之特征为:第一(30)与第11(32)结合式电晶体是互补的;第一(16)与第二(14)按端分别连按至第一电晶体(30)的集极与第二电晶体(32)的射极;每一个第一电晶体(30)的集极与基极分别耦合至每一个第二电晶体(32)的基极与集极,每一个第一电晶体(30)的基极(34)经由一个第一电容器(Cl)耦合至每一单元的第一接端(16),并且经由一个第二电容器(C2)耦合至每一单元的第二接端(14)者。2﹒如讲求专利部份第一项之装置,其特征为:第一电晶体(30)是一NPN型电晶体;第二电晶体(32)是一PNP型电晶体;且两地电体的射极成电性耦合者。3﹒如请求专利部份第一项之装置,其又一特征为:第一记入机构(24)耦合至诸记忆单元以便使一个所述定之单元内第二电晶体的射极一基极结﹒合面顺向偏压,致使该述定之单元内第一电晶体的基极电势设定于弟一电势;" |
