| 主权项 |
1﹒一半导体装置具有一封罩;一导热某质;一半导体印模,此印模被接合至该封罩中之该基置,此半导体装尚之特点为:该印模与该基置之间之一百含铅量焊剂之一接点;及在该封罩内一实置上非氧化之空气。2﹒根据上述请水专利部份第1项所述之一种装置,于其中该非氧化空气包含每一百万份该空气中小于一百份之氧者。3﹒根据上述请求专利部份第2项所述之一种装置,于其中该非氧化空气包含每一百万份该空气中小于五O份之氧者。4﹒根据上述请求专利部份第1项所述之一种装置,于其中该非氧化空气主要系由氮组成者。5﹒根据上述请求专利部份第1项所述之一种装置,于其中该高含铅量焊剂主要系由以重量计之至少90多之铅及其余为锡所组成者。6﹒根据上述请求专利部份第1项所述之一种装置,于其中该基置包含最近接该焊剂接点之二高导热承座者。7﹒根据上述请求专利部份第6项所述之一种装置,'于其中该承座系由铜构成者。8﹒根据上述请求专利部份第1项所述之一种装置,另外包含:至少一个位于该半导体印模之一表面上之一接触垫,该接触垫包含讶高含铅量焊剂;及将该接触垫连接至该封罩外部诸点之终端工具者。9﹒一电晶体包含:一导热基置,此基置具有从此基质之一表面伸展之一高导热承座;接合至该承座之一电晶体印模;位于该印模与该承座之间之高含铅量之焊剂一之一接点;包围该印模及在该去面处被密封至该基质之一封罩;及于该封罩内由氮构成之一实置上非氧化之空气,及每一百万份之该空气中包含小于10份之氧者。10﹒一电晶体包含:一导热基质,具有从该基质之一表面伸展之一高导热承座;接合至该承座之一电晶体印模;该印模之一经暴露之表面处之至少一接触垫,该接触点包含一高含铅量焊剂;包围该印模及被密封至该某置表面之一封单;及于该封罩内一实质上非氧化之空气。 |
