| 主权项 |
1﹒制造一种半导体装置之方法,于其中一半导体本体之一表面与一基质之一表面,乃藉一绝缘性粘层而以机械方式被连接在一起,及于其中一导电连接乃被制造在该半导体本体之该表面上一导电图案之诸部份与该基质之该表面上一导电图案之诸部之间,该方法之特点为首先制造该半导体本体与该基质之间之该导电连接,随后一液体被吸入至该半导体本体与该基质之间之该自由空间内,及藉硬化作用被转换为该绝缘粘层者。2﹒根据上述请求专利部份第1项所述之一种方法,其特点为该半导体本体与该基质之间之该孔隙之该尺寸,系经选定为在─u及─OOu之间者。3﹒根据上述请求专利部份第1或2项所述之一种方法,其特点为一液体系被吸入该半导体本体与该基质之间之该自由空间内,该液体包含一有机环氧化合物及一矽烷,于此矽烷中至少有一氢原子为一氨烷基所取代,及至少一氢原子为──OR─基所取代,于其中O于氧及R等于烃基者。4﹒根据上述请求专利部份第3项所述之一种方法,其持点为于其中至少有三个给合在矽上之氢原子为烃氧基所取代之一氨烷基矽烷,于与该有机环氧化合物化合之前,在有水存在之情况下,与一种矽烷成反应,于此矽烷中至少有一个氢原子为一氢基所取代,及至少有三个结合在矽上之氢原子为烃氧基所取代者。5﹒根据上述请求专利部份第4项所述之一种方法,其特点为约为一比三之一数値系经选定作为氨烷基矽烷之该分子数目与烃基矽烷之该分子数目之该比例者。6﹒根据上述请求专利部份中任任一项所述之一种方法,其特点为一具有挠性之箔片系经选定作为该基质者。7﹒制造一半导体装置之一种方法,该方法在实质上系有如本文中参考该附图所说明者。8﹒使用上述请求专利部份中任一项所述之该方法所制造之一种半导体装置者。 |
