| 主权项 |
1﹒一种用于生长高熔点单结晶之装置,此装置可使单晶原料粉(以氧化铝为主)随氢或氧气体通过本申请之喷嘴后而燃烧,火焰使预置之单晶种籽融熔,原料粉投入熔液球以本申请之一机构使种籽下降使熔液球固化而形成单晶之装置者。2﹒如申请专利第一项所述单晶生长机上喷嘴,系由同心管所制成,中心通过氧气(或氢气)及粉末,第二层可通过氢气(或氧气),外层复通过氢气至喷嘴部滙合而燃烧,此喷嘴内壁喷敷以陶瓷,用于隔热及防止污染(Contamination)外管外壁则环以冷却水,用于维持低温以保维喷嘴之寿命而为特征者。3﹒如申请专利第一项所述之单晶生长机,喷嘴外围设有可滑动分开之耐火炉体,每一半炉体安置于一平行之轨道上,分开时可布置种籽,封闭时则无火焰外泄之虞为特征者。4﹒如申请专利第一项所述之单晶生长机,下附一精巧机构,此机构以二直流马达带动之,一司主轴回旋,一司主轴下降,回旋可无段变速,转速可自10转/升至120转/分,下降可控制单晶之生长率,自动操作时下降率可由0﹒05mm/分至0﹒5mm/分,因系以摩擦轮带动,自动下降期间并可同时用手操纵任意使其快升或快降,操作自如,自动下降及回旋时以一控制板上置两电钮控制马达之电阻而变更速率,用以增加单晶生长成功率为特征者。5﹒如申请专利部份第一项之单晶生长机,单晶原料粉贮放于下有丝网之漏斗内,粉之表面置一浮动之金属片,上设线路连至外界,待原料粉用罄,金属片与丝网接触而成通路使外界指示灯发光,以警告可停止生长之装置为特征者。 |
