| 主权项 |
1﹒一种导电性之结构,具有多对通常沿相同之纵向方向延伸且大致呈一平直阵列安置之长导电体,每一对导体中之两导体除了在沿该对导体方向呈周期性出现之交叉处两导体互相交换其横向位置外,均呈横向地间隔排列于其上,相邻两对导体之交叉周期性均不同,且相邻两导体间均藉介电质装置予以隔离,该结构之特征在于,距该阵列一假想之中心线等距离且分别位于该假想中心线两侧之两相对应导体对,其交叉之周期性不同,因此使得当第一个此种阵列被安设于另一倒反之第二个此种阵列上时,第一阵列内一导体对之周期性将与第二阵列内一与其对齐之导体对之周期性不同。2﹒根据请求专利部份第1项所述之导电性结构,其特征在于交叉周期性之整体图样系沿该第一阵列之长度方向根据一二进关系(binaryrelation─ship)作规则地重复。3﹒根据请求专利部份第1项或第2项所述之导电性结构,其特征在于该等长导电体系位于一与一中央介电质元件成固定关系之位置上,每对导体内之一导体被安置于该中央介电质元件之一边,而该对内之另一导体则被置于该中央介电质元件之另一相反边。4﹒根据请求专利部份第1项到第3项中任一项或更多项所述之导电性结构,其特征在于该每一长导电体均包含一绝缘导线,成对之绝缘导线被互相扭曲以构成交叉,且其中每一导线上之绝缘至少构成该介电质装置之一部份。5﹒根据请求专利部份第1-4项中任一项或更多项所述之导电性结构,其特征在于,一导体对与邻近于间隔相同之其对应导体对之一对导体,其周期性亦不同,因此使得当一第一个此种阵列被安放于一倒反之第二个此种阵列上时,第一阵列中一导体对之周期亦将与在第二阵列中邻近其对齐导体对之一导体对之周期不同,因而为在第一及第二阵列中具相同周期之各对间提供至少两径迹(track)之位差。6﹒根据请求专利部份第5项所述之导电性结构,其特征在于,一导体对与间隔相同之另一导体对之次一导体对其周期亦不同,因此使得当一第一个此种阵列安放于一倒反之第二个此种阵列时,在第一阵列中一对导体之周期性将与在第二阵列中与之相对齐之一对导体之次一对导体周期性不同,因此为位于第一及第二阵列中具相同周期性之两对导体间提供至少三个径迹之位差。7﹒根据请求专利部份第1-6项中任一项或更多项所述之导电性结构,其特征在于其由长导电体之大致成平直阵列所堆积而成之堆积套(stacked─get),其中在该堆积套内相邻两阵列中互相对齐之导体对其交叉周期性均不相同,且该阵列堆积套内隔一之阵列具有图样相同之交叉周期性。8﹒根据请求专利部份第7项所述之导电性结构,其特征在于在该阵列堆积套内连续两阵列间之交叉周期性系呈倒反者。9﹒根据请求专利部份第8项所述之导电性结构,其特征在于第一阵列上之交叉周期性图样沿该阵列之横向作变化,其变化之方式系使得在该第一及第二之相邻阵列中具相同交叉周期性之导体对至少相差三径迹。 |
