| 摘要 |
Ce procédé comporte les étapes a) prévoir la première structure (1) comportant successivement un premier substrat (10), une première couche (11) réalisée à base d'un métal, et un premier oxyde métallique (12) à base du métal, b) prévoir la seconde structure (2) comportant successivement un second substrat (20), une seconde couche (21) réalisée dans un second matériau, et un second oxyde métallique (22) à base du métal, les premier et second oxydes métalliques (12, 22) présentant une enthalpie libre standard de formation AG°, le second matériau étant choisi de sorte qu'il possède un oxyde (3) présentant une enthalpie libre standard de formation strictement inférieure à AG°, c) coller la première structure (1) et la seconde structure (2) par adhésion directe, d) activer la diffusion des atomes d'oxygène des premier et second oxydes métalliques (12, 22) vers la seconde couche (21) de manière à former l'oxyde (3) du second matériau. |
