发明名称 OXIDE SEMICONDUCTOR EVALUATION APPARATUS AND OXIDE SEMICONDUCTOR EVALUATION METHOD
摘要 본 발명에 관한 산화물 반도체 평가 장치 및 그 방법에서는, 평가 대상의 산화물 반도체에, 소정 파장의 광과 소정의 측정파가 조사되고, 상기 산화물 반도체에서 반사된 상기 측정파의 반사파가 측정된다. 또한, 상기 산화물 반도체의 두께가 측정된다. 그리고, 이 측정된 상기 산화물 반도체의 두께에 기초하여, 상기 반사파의 강도가 보정된다. 따라서, 산화물 반도체 평가 장치 및 그 방법은, 상기 산화물 반도체의 두께도 또한 고려함으로써 상기 산화물 반도체의 이동도를 평가하므로, 더욱 고정밀도로 상기 산화물 반도체의 이동도를 평가할 수 있다.
申请公布号 KR20160148699(A) 申请公布日期 2016.12.26
申请号 KR20167033844 申请日期 2015.03.23
申请人 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 发明人 이누이 마사히로
分类号 G01N22/00;H01L29/786 主分类号 G01N22/00
代理机构 代理人
主权项
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