| 主权项 |
1﹒一种制法,用以制备具下列通式之0─三氮唑基 硫代基(硫代羟基)─磷酸(膦酸)酯或酯醯 胺式中R代表1─6碳原子烷基:R1代表各具 1─6碳原子之烷基,烷氧基,硫代烷基或单烷 胺基,R2代表各烷基根具1─4个碳原子之烷 基硫代烷基,2─5碳原子之烯基,各烷基根具 1─4碳原子之羰烷氧基,1─甲基─2─氰基 乙基,苯氧烷基(其烷基部份具1─4个碳原子 ,苯环部份系选择性地带有下列取代基:卤素、 氰基或各具1─4碳原子之硫代烷基或烷苯)制 法中,以具下列通式之硫代基(硫代羟基)磷 酸(膦酸)酯卤化物或酯醯胺卤化物式中R及R 1定义如前,及Hal代表卤素,与具下列通式 之三氮唑衍生物,选择性地在一种释剂或溶剂中 反应式中R2定义如前此三氮唑衍生物系在一酸 接受剂存在下,或以硷金属,硷土金属或铵 之形态反应。 2﹒根据请求专利部份第1项之制法,其中Hal代 表氯。 3﹒根据请求专利部份第1或第2项之制法,其中反 应系在一惰性有机溶剂存在下进行。 4﹒根据请求专利部份第1.2或3项之制法,其中 反应系在0─120℃温度范围中进行。 5﹒根据请求专利部份第4项之制法,其中反应系在 30─75℃温度范围中进行。 6﹒根据请求专利部份第1─5项中任一项之制法, 其中三氮唑衍生物(III)系在硷金属醇, 硷金属碳酸或烷基,芳香基或杂圜基胺类存在 下进行反应。 7﹒根据请求专利部份第1─6项中任一项之制法, 其中式(II)之卤化物系详细说明中所述者之 一。 8﹒根据请求专利部份第1─7项中任一项之制法, 其中式(III)之三氮唑衍生物系详细说明中 所述者之一。 9﹒根据请求专利部份第1─8项中任一项之制法, 其中反应物系使用等克分子量。 10﹒一种制法,用以制造根据请求专利部份第1项之 化合物,实际如例1所述者。 |
