发明名称 一种电化学沉积制备铜铟镓硒预制层的方法
摘要 本发明属于太阳能电池技术领域,具体涉及一种电化学沉积制备铜铟镓硒预制层的方法。本发明的电化学沉积制备铜铟镓硒预制层的方法,包括在电沉积溶液中,采用电流脉冲或者电压脉冲在阴极衬底上电沉积得到铜铟镓硒预制层,所述电流脉冲或者电压脉冲包括电流及电压在沉积表面都是负值的正向脉冲时期和电流及电压在沉积表面都是正值的反向脉冲时期。本发明在电沉积过程中使用了反向脉冲的方法,在形成铜铟镓硒预制层的同时,把部分硒元素退镀回到电镀液中,避免了硒球的产生,从而形成成分均匀、物相稳定的铜铟镓硒预制层。
申请公布号 CN103779438B 申请公布日期 2016.10.26
申请号 CN201210405257.6 申请日期 2012.10.22
申请人 中物院成都科学技术发展中心 发明人 郭伟民;黄迎春;曾波明;廖成;刘焕明
分类号 H01L31/18(2006.01)I;C25D7/12(2006.01)I 主分类号 H01L31/18(2006.01)I
代理机构 四川力久律师事务所 51221 代理人 王芸;陈明龙
主权项 一种电化学沉积制备铜铟镓硒预制层的方法,包括在电沉积溶液中,采用电流控制脉冲或者电压控制脉冲在阴极衬底上电沉积得到铜铟镓硒预制层,其特征在于:所述电流控制脉冲或者电压控制脉冲包括电流及电压在沉积表面都达到负值的正向脉冲时期和电流及电压在沉积表面都达到正值的反向脉冲时期;所述电沉积溶液为离子液体体系;所述电流控制脉冲的脉冲条件为:正向脉冲时期的工作时间为3毫秒~1秒,电流密度‑0.05ASD~‑5ASD;反向脉冲时期的工作时间为1毫秒~0.5秒,电流密度为0.1ASD~20ASD;。
地址 610031 四川省成都市青羊区八宝街90号