NON-POLAR BLUE LED EPITAXIAL WAFER BASED ON LAO SUBSTRATE AND PREPARATION METHOD THEREFOR

摘要

LAO 기판에 기반한 무극성 블루 LED 에피 웨이퍼 및 그 제조 방법에 있어서, LAO 기판(10)을 적용하여 결정 방위를 선택하고 LAO 기판에 대해 표면 세정 처리를 수행하는 단계 a(S1); LAO 기판에 대해 어닐링 처리를 수행하고 LAO 기판 표면에 AlN 씨앗층을 형성하는 단계 b(S2); 및 유기금속 화학기상 증착을 이용하여 LAO 기판 상에 순차적으로 무극성 m면 GaN 버퍼층(11), 무극성 비도핑 u-GaN 층(12), 무극성 n 타입 도핑 GaN 박막(13), 무극성 InGaN/GaN 양자우물층(14), 무극성 m면 AlGaN 전자차단층(15) 및 무극성 p 타입 도핑 GaN 박막(16)을 형성하는 단계 c(S3)가 포함된다. 해당 LAO 기판에 기반한 무극성 블루 LED 에피 웨이퍼 및 그 제조 방법은 결함 밀도가 낮고 결정 품질이 높으며 발광 성능이 양호한 장점을 갖고 제조 원가가 저렴하다.