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如下式3─烷基异恶唑衍生物之制法;式中R为 C3─5烷基或C3─5环烷基,R1为氢C1 ─3烷基,R3和R4各为氢,C1─4烷基, C2─5烯基,C1─4烷氧基或C1─4烷硫 基,或由R3─N─R4代表吗基,咯烷基 或啶基,Y为氧或硫,X为氢或卤素,或R与X 合并成C3─6烷撑;此包括:(1)于室温或 冷下之惰性溶剂中,用卤化剂卤化3─烷基异 恶唑衍生物(Ia)(X=氢)为3─烷基异恶 唑衍生物(Ia)(X=卤素);(2)于室温或冷或加热下之 惰性溶剂中,用 烷化剂烷化在侧链之氮有至少一个氢之3─烷基 异恶唑衍生物(la),而得至少有一烷基导入 侧链上之氮之3─烷基异恶唑衍生物(Ia);(3)令如下 式异氰酸5─异恶唑酯:式中X 为氢或卤素,R同上,与如下式化合物式中R3 及R4各同上,于惰性溶剂中,必要时有硷性触 媒之存在下,在室温或冷或加热下反应,而得 如下式3─烷基异恶唑衍生物:式中R,R3, R4及X各同上;(4)令如下式5─异恶唑基胺:式中R,R1 及X各同上,与如下式化合物式中R3及Y各同 上,于惰性溶剂中,必要时有硷性触媒之存在下 ,在室温或冷或加热下反应,而得如下式3─ 烷基异恶唑衍生物:式中R,R1,R3,X及 Y各同上;(5)令3─烷基异恶唑衍生物(Ia)(R4 =氢,Y=氧)与如下式硫基化合物:式中A为 反应性基,R4为C1─4烷硫基,于惰性溶剂 中,在室温或冷下反应,而得3─烷基异恶唑 衍生物(Ia)(R4=烷硫基)。 |
