| 主权项 |
1﹒一种聚合触媒组合物包括:(a)一第一种原料选自包括一种三烷基铝、一种三烷基铝及一种烷基铝二氯化物或二溴化物之一种混合物、一种三烷基铝及一种二烷基铝氯化物或溴化物之一种混合物以及一种二烷基铝氯化物或溴化物之化合物组,此第一种原料曾以按此第一种原料数量计高达10克分子百分率之硫化氢处理。(b)一第二种原料,即氯化钛;及(c)一第三种原料选自包括三氢二价碳基亚磷酸酯、位阻之环叔胺及位阻之环胺氧化物之化合物组。其中所有烷基皆系C1-C6烷基;第一种原料与第二种原料之克分子此例为1:1至3:1,而H2S与第三种原料之克分子比例为4:1至1:30。2﹒根据上述请求专利部份第1项之组合物,其中该第一种原料系一种二烷基铝氯化物,而该第二种原料为三氯化钛。3﹒根据上述请求专利部份第2项之组合物,其中该第三种原料为一种三氢二价碳基亚磷酸酯。4﹒根据上述请求专利部份第2项之组合物,其中该第三种原料为一种位阻之环叔胺。5﹒根据上述请求专利部份第2项之组合物,其中该第三种原料为一种位阻之环胺氧化物。6﹒用以聚合丙烯或丙烯与乙烯之一种混合物或丙烯与另一个四碳至八碳脂肪族烯之一种混合物使生成一种高度结晶之聚合物质之一种方法,此种方法包括将该丙烯或该混合物于添加物H2S之存在下与包含下述成份之一种触媒组合物接触:(a)一第一种原料选自包括一种三烷基铝、一种三烷基铝及一种烷基铝二氯化物或二溴化物之一种混合物、一种三烷基铝及一种二烷基铝氯化物或溴化物之一种混合物以及一种二烷基铝氯化物或溴化物之化合物组,此第一种原料曾以按此第一种原料数量计高达10克分子百分率之硫化氢处理。(b)一第二种原料,即氯化钛;及(c)一第三种原料选自包括三氢二价碳基亚磷酸酯、位阻之环叔胺及位阻之环胺氧化物之化合物组。其中所有烷基皆系C1-C6烷基;第一种原料与第二种原料之克分子比例为1:1至3:1,而H2S与第三种原料之克分子比例为4:1至1:30,反应之温度为自2℃至95℃,压力为20P﹒s﹒i﹒g﹒至600p﹒s﹒i﹒g﹒7﹒根据上述请求专利部份第6项之方法,其中该第一种原料系一种二烷基铝氯化物而该第二种原料为三氯化钛。8﹒根据上述请求专利部份第7项之方法,其中该第三种原料为一种三氢二价碳基亚磷酸酯。9﹒根据上述请求专利部份第7项之方法,其中该第三种原料为一种位阻之环叔胺。10﹒根据上述请求专利部份第7项之方法,其中该第三种原料为一种位阻之环胺氧化物。 |
