| 摘要 |
<P>a. Dispositif de mémoire modifiable électriquement. </P><P>b. Mémoire caractérisée par trois régions superposées, la région médiane étant formée d'un chalcogénure à base de tellure à résistance électrique élevée à l'état amorphe et à résistance électrique plus faible à l'état cristallin. </P><P>c. L'invention concerne le domaine des mémoires.</P>
|
