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본 발명은, 산화물 반도체를 사용하는 반도체 장치의 전기 특성을 향상시킨다. 산화물 반도체를 사용하는 반도체 장치의 신뢰성을 향상시킨다. 반도체 장치는 소자층을 포함한다. 소자층은 제 1 막, 트랜지스터, 및 제 2 막을 포함한다. 제 1 막 및 제 2 막은 서로 부분적으로 접촉된다. 위에서 봤을 때, 제 1 막과 제 2 막이 서로 접촉되는 영역은 폐루프 형상을 갖는다. 트랜지스터는 제 1 막과 제 2 막 사이에 위치한다. 제 1 막과 제 2 막이 서로 접촉되는 영역은 소자층의 측면과 트랜지스터 사이에 위치한다. |
